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          CGD的ICeGaN HEMT榮獲臺(tái)積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”

          • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統(tǒng) (SoC) 在臺(tái)積電 2023 年歐洲技術(shù)研討會(huì)創(chuàng)新區(qū)榮獲“最佳演示”獎(jiǎng)。CGD 的 ICeGaN 已使用臺(tái)積電的 GaN 工藝技術(shù)為全球客戶進(jìn)行大批量生產(chǎn),將典型外部驅(qū)動(dòng)電路的復(fù)雜性引入單片集成的 GaN HEMT 中。這一概念減少了 PCB 級(jí)的元件數(shù)量,并顯著提高功率晶體管和整個(gè)系統(tǒng)
          • 關(guān)鍵字: CGD  ICeGaN HEMT  臺(tái)積電  

          ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”, 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積!

          • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1,開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。近年來,為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì),對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對(duì)這種需求,GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而,與Si MOSFET相
          • 關(guān)鍵字: ROHM  AC適配器  GaN HEMT  Si MOSFET  

          實(shí)測案例:1200V GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)特性測試

          • 氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表,具有極快的開關(guān)速度,能夠顯著提升功率變換器的性能,受到電源工程師的青睞。同時(shí),極快的開關(guān)速度又對(duì)其動(dòng)態(tài)特性的測試提出了更高的要求,稍有不慎就會(huì)得到錯(cuò)誤結(jié)果。傳統(tǒng)氮化鎵器件多用于消費(fèi)類電子市場,研發(fā)高壓氮化鎵器件將有助于在電力電子、新能源和電動(dòng)汽車行業(yè)開拓新的應(yīng)用市場。量芯微(GaNPower)是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠家。這次測試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK,在市場上具有標(biāo)志性意義,傳統(tǒng)的氮化鎵功率器件最高電壓普
          • 關(guān)鍵字: GaN HEMT  功率器件  動(dòng)態(tài)特性測試  

          ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

          • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn),這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。據(jù)悉,電源和電機(jī)的用電量占全世界用電量的一大半,為實(shí)現(xiàn)無碳社會(huì),如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵,SiC (Silicon Carbide:碳化硅)和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年,RO
          • 關(guān)鍵字: ROHM  650V  GaN HEMT  

          用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護(hù)

          • 當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路,這些電路可以在高性能計(jì)算機(jī)、電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高功率應(yīng)用中實(shí)施。實(shí)現(xiàn)這一壯舉的方法是提高電子設(shè)備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關(guān)速度和熱效率;因此,如果不增加尺寸并因此影響功率密度,它們就不能用于高功率應(yīng)用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產(chǎn)品的地方,適用于各行各業(yè)的不同應(yīng)用。當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路,這些電路可以在高性能計(jì)算機(jī)、電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高功
          • 關(guān)鍵字: GaN  HEMT  短路保護(hù)  

          ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

          • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列(GNE1040TB)”的量產(chǎn)體制,該系列產(chǎn)品的柵極耐壓(柵極-源極間額定電壓)*2高達(dá)8V,非常適用于基站、數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備的電源電路。一般而言,GaN器件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能,因而作為有助于降低各種電源的功耗和實(shí)現(xiàn)外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低,在開關(guān)工作時(shí)的器件可靠性方面存在問題。針對(duì)這一課題,ROHM的新產(chǎn)品通過采用自有的結(jié)構(gòu),成功
          • 關(guān)鍵字: ROHM  150V  GaN  HEMT  

          GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置

          • 受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓?fù)?。GaN具有低寄生電容(Ciss、Coss、Crss)和無第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器(PFC)等較高頻率的硬開關(guān)拓?fù)?。由于它們的高開關(guān)損耗,MOSFET和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)實(shí)現(xiàn)此類拓?fù)?。本文中,我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn),包括更低的開關(guān)損耗、更佳
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  

          科銳推出S波段GaN器件

          • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出可適用于軍用和商用S 波段雷達(dá)中的高效GaN HEMT 晶體管。新型 S 波段GaN HEMT 晶體管的額定功率為60W,頻率為 3.1至3.5GHz 之間,與傳統(tǒng)Si或 GaAs MESFET 器件相比,能夠提供優(yōu)越的漏極效率(接近70%)。
          • 關(guān)鍵字: 科銳  晶體管  HEMT  
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